弯道超车台积电 三星30日量产3nm工艺 良率过预期
发布时间：2022-06-30 06:09:23 所属栏目：产品 来源：互联网
导读：据韩国日报消息，三星将在6月30日宣布量产3nm工艺，此举也意味着三星在新一代工艺节点上弯道超车台积电，后者预计今年下半年才会量产3nm工艺。 3nm工艺的具体详情还没公布，但是之前导致三星被质疑的良率问题应该已经解决，韩国分析师、HMC投资证券公司研
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据韩国日报消息，三星将在6月30日宣布量产3nm工艺，此举也意味着三星在新一代工艺节点上弯道超车台积电，后者预计今年下半年才会量产3nm工艺。 3nm工艺的具体详情还没公布，但是之前导致三星被质疑的良率问题应该已经解决，韩国分析师、HMC投资证券公司研究中心主管Greg Roh日前透露称，三星的3nm工艺良率提升速度远高于市场预期、新增客户速度相当快。 根据他的数据，三星晶圆代工业务将成长40%左右、高于业界整体25%的增幅水平。 按照三星去年公布的信息，3nm节点也分为3GAE及3GAP，前者主要是三星自己用，后者首次使用GAA晶体管，面向外部代工客户。 根据三星的说法，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。 （编辑：云计算网_宿迁站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
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